Dein Alltag dreht sich um die Entwicklung und Optimierung von Schaltungen für SiC MOSFETs. Du misst Gateleckströme, leitest thermische Konzepte ab und designst Leiterplattenlayouts für Prototypen. Qualität und Präzision stehen dabei im Fokus.
Anforderungen
- •Studium Elektrotechnik oder vergleichbar
- •Gute Grundkenntnisse in technischer Elektronik
- •Bereitschaft zur Einarbeitung in Schaltungstechnik
- •Gute Deutsch- und Englischkenntnisse
Deine Aufgaben
- •Entwicklung einer einstellbaren Leistungsendstufe
- •Thermische Auslegung der Schaltung durchführen
- •Schaltung zur Messung der Gateleckströme aufbauen
- •Schaltung zur Messung des Leitwiderstandes entwickeln
- •Schnittstelle für Steuerung und Datenerfassung implementieren
- •Berechnung und Simulation durchführen sowie Bauteile auswählen
- •Prototypen-Leiterplattenlayout designen und bestücken
Deine Vorteile
Flexible Arbeitszeiten
Hybride Arbeitszeitmodelle
Hochmoderne virtuelle Arbeitsumgebung
Zuschuss zum Deutschlandticket
Kantine vor Ort
Kostenloser Kaffee und Heißgetränke
Original Beschreibung
# Masterand (m/w/d) Dynamischer Gate Stress Test
Requisition-ID:
43374
Arbeitsort/e:
Nuremberg, DE
## Dein Job
Zur Unterstützung unseres Teams in Nürnberg sind wir momentan auf der Suche nach einem **Masteranden (m/w/d)** für das Thema Dynamischer Gate Stress Test.
## Deine Aufgaben
Für die Qualifizierung von Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET (SiC MOSFET) soll ein dynamischer Gate Stress Test entwickelt werden. Der dynamische Gate-Stresstest dient der Prüfung der Gate-Schaltstabilität.
Die Masterarbeit beinhaltet folgende Aufgabenstellungen:
* Entwicklung und Aufbau einer getakteten Leistungsendstufe mit einstellbarer Amplitude der Ausgangsspannung zur Belastung des Gates des SiC MOSFET - die positive und negative Amplitude der Ausgangsspannung sollen voneinander unabhängig einstellbar sein
* Thermische Auslegung der Schaltung inklusive Kühlung und Auswahl der Bauteile unter Berücksichtigung der auftretenden Verlustleistung
* Entwicklung und Aufbau einer Schaltung zur Messung der Gateleckströme des SiC MosFet während des Tests
* Entwicklung und Aufbau einer Schaltung zur Messung des Leitwiderstandes (RDS\_on) des SiC MosFets während des Tests
* Implementierung einer geeigneten Schnittstelle für die Steuerung und analoge Datenerfassung
* Berechnung, Simulation, Bauteilauswahl und Schaltplanerstellung
* Design eines Prototypen Leiterplattenlayouts, Bestücken der Platine, Inbetriebnahme und Nachweis der Funktion durch Messungen
## Dein Profil
* Du studierst Elektrotechnik oder einen vergleichbaren technischen Studiengang und suchst nun ein spannendes Thema für deine Masterarbeit
* Gute Grundkenntnisse in technischer Elektronik, Schaltungstechnik und von elektronischen Bauelementen bringst du mit
* Darüber hinaus sollte die Bereitschaft zu intensiver Einarbeitung in Schaltungstechnik und Leistungselektronik vorhanden sein
* Du verfügst über gute Deutsch- und Englischkenntnisse
Durch die Betreuung und Anleitung von erfahrenen Leistungselektronikexperten bietet diese Arbeit die Chance, fundierte Kenntnisse in Leistungselektronik zu erwerben und die neueste Technologie von Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET kennenzulernen. Für den praktischen Teil der Arbeit steht in unserem Qualifizierungslabor eine umfangreiche Ausstattung an hochwertigen Messgeräten für alle statischen und dynamischen Parameter von Leistungshalbleitern und zur Inbetriebnahme der Schaltung zur Verfügung.
## Benefits für unsere Mitarbeitenden
Wir freuen uns, dir im Rahmen deiner Beschäftigung die folgenden Leistungen anbieten zu können:
* Flexible Arbeitszeiten
* Hybride Arbeitszeitmodelle
* Hochmoderne virtuelle Arbeitsumgebung & Ausstattung
* Zuschuss zum Deutschlandticket
* Kantine vor Ort
* Kostenloser Kaffee und andere Heißgetränke
Diese Liste verspricht oder garantiert keine bestimmten Leistungen oder Maßnahmen. Sie kann von länder- oder vertragsspezifischen Gegebenheiten abhängen und jederzeit ohne vorherige Ankündigung geändert werden.