Fraunhofer-Gesellschaft
Wissenschaftlicher Mitarbeiter - Design & Simulation von GaN Bauelementen(m/w/x)
VollzeitBefristeter Vertragnur vor OrtKeine Angabe
Itzehoe
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FRFraunhofer Institute for Silicon Technology ISIT
Research Associate - Design and Simulation of GaN Devices(m/w/x)
Itzehoe
VollzeitVor OrtBerufserfahren
Nejo KI-Zusammenfassung
Designing GaN-based power electronics using EDA software and TCAD simulation at research institute for power electronics. Knowledge of semiconductor manufacturing and GaN-specific processes required. 30 days vacation, time off on bridge days.
Anforderungen
- University degree in physics, engineering, or comparable
- Knowledge of semiconductor manufacturing and GaN-specific processes
- Knowledge of device development and TCAD simulation
- Advantageous: Experience in semiconductor characterization
- Proficiency in written and spoken English and German
- High degree of independence, initiative, and commitment
- Quick familiarization with challenges and teamwork skills
Aufgaben
- Design innovative GaN-based devices using EDA software
- Conceptualize control measurements for in-line device characterization
- Simulate and calibrate processes using TCAD
- Supervise students during component design and simulation
- Manage work packages within forward-looking research projects
- Collaborate with internal and external industry partners
- Document and communicate results to internal stakeholders
- Present findings to customers and external partners
- Publish research results and secure patents
Berufserfahrung
- ca. 1 - 4 Jahre
Ausbildung
- Master-Abschluss
Sprachen
- Englisch – verhandlungssicher
- Deutsch – verhandlungssicher
Tools & Technologien
- TCAD
- GaN
Benefits
Flexibles Arbeiten
- Flexible working hours
Familienfreundlichkeit
- Work-life balance support
Mehr Urlaubstage
- 30 days of vacation
- Time off on bridge days
- Time off between Christmas and New Year
Sonstige Vorteile
- Occupational health management
Betriebliche Altersvorsorge
- Company pension scheme
Öffi Tickets
- Deutschlandjobticket subsidy
Parkplatz & Pendelvorteile
- Free employee parking
Weiterbildungsangebote
- Internal and external training
Lockere Unternehmenskultur
- Independent work environment
- Flat hierarchies
Die Originalanzeige dieses Stellenangebotes in der aktuellsten Version findest du hier. Nejo hat diesen Job automatisch von der Website des Unternehmens Fraunhofer Institute for Silicon Technology ISIT erfasst und die Informationen auf Nejo mit Hilfe von KI für dich aufbereitet. Trotz sorgfältiger Analyse können einzelne Informationen unvollständig oder ungenau sein. Bitte prüfe immer alle Angaben in der Originalanzeige! Inhalte und Urheberrechte der Originalanzeige liegen beim ausschreibenden Unternehmen.
Noch nicht perfekt?
- Fraunhofer-Gesellschaft
Mikrotechnologe / Prozessingenieur Halbleitertechnik GaN Bauelemente(m/w/x)
VollzeitBefristeter Vertragnur vor OrtSeniorItzehoe - Fraunhofer-Gesellschaft
Wissenschaftlicher Mitarbeiter - MEMS / Photonische Integrierte Schaltungen(m/w/x)
Vollzeit/TeilzeitBefristeter Vertragnur vor OrtKeine AngabeItzehoe - Fraunhofer-Gesellschaft
Technischer Mitarbeiter / Mikrotechnologe - Halbleiterfertigung(m/w/x)
VollzeitBefristeter Vertragnur vor OrtBerufserfahrenItzehoe - Fraunhofer-Gesellschaft
Schülerpraktikant(m/w/x)
VollzeitSchülerpraktikumnur vor OrtItzehoe
FRFraunhofer Institute for Silicon Technology ISIT
Research Associate - Design and Simulation of GaN Devices(m/w/x)
Itzehoe
VollzeitVor OrtBerufserfahren
Nejo KI-Zusammenfassung
Designing GaN-based power electronics using EDA software and TCAD simulation at research institute for power electronics. Knowledge of semiconductor manufacturing and GaN-specific processes required. 30 days vacation, time off on bridge days.
Anforderungen
- University degree in physics, engineering, or comparable
- Knowledge of semiconductor manufacturing and GaN-specific processes
- Knowledge of device development and TCAD simulation
- Advantageous: Experience in semiconductor characterization
- Proficiency in written and spoken English and German
- High degree of independence, initiative, and commitment
- Quick familiarization with challenges and teamwork skills
Aufgaben
- Design innovative GaN-based devices using EDA software
- Conceptualize control measurements for in-line device characterization
- Simulate and calibrate processes using TCAD
- Supervise students during component design and simulation
- Manage work packages within forward-looking research projects
- Collaborate with internal and external industry partners
- Document and communicate results to internal stakeholders
- Present findings to customers and external partners
- Publish research results and secure patents
Berufserfahrung
- ca. 1 - 4 Jahre
Ausbildung
- Master-Abschluss
Sprachen
- Englisch – verhandlungssicher
- Deutsch – verhandlungssicher
Tools & Technologien
- TCAD
- GaN
Benefits
Flexibles Arbeiten
- Flexible working hours
Familienfreundlichkeit
- Work-life balance support
Mehr Urlaubstage
- 30 days of vacation
- Time off on bridge days
- Time off between Christmas and New Year
Sonstige Vorteile
- Occupational health management
Betriebliche Altersvorsorge
- Company pension scheme
Öffi Tickets
- Deutschlandjobticket subsidy
Parkplatz & Pendelvorteile
- Free employee parking
Weiterbildungsangebote
- Internal and external training
Lockere Unternehmenskultur
- Independent work environment
- Flat hierarchies
Die Originalanzeige dieses Stellenangebotes in der aktuellsten Version findest du hier. Nejo hat diesen Job automatisch von der Website des Unternehmens Fraunhofer Institute for Silicon Technology ISIT erfasst und die Informationen auf Nejo mit Hilfe von KI für dich aufbereitet. Trotz sorgfältiger Analyse können einzelne Informationen unvollständig oder ungenau sein. Bitte prüfe immer alle Angaben in der Originalanzeige! Inhalte und Urheberrechte der Originalanzeige liegen beim ausschreibenden Unternehmen.
Über das Unternehmen
Fraunhofer Institute for Silicon Technology ISIT
Branche
Research
Beschreibung
Fraunhofer ISIT is a research and manufacturing environment focused on power electronics, developing processes and devices based on gallium nitride.
Noch nicht perfekt?
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Wissenschaftlicher Mitarbeiter - Design & Simulation von GaN Bauelementen(m/w/x)
VollzeitBefristeter Vertragnur vor OrtKeine AngabeItzehoe - Fraunhofer-Gesellschaft
Mikrotechnologe / Prozessingenieur Halbleitertechnik GaN Bauelemente(m/w/x)
VollzeitBefristeter Vertragnur vor OrtSeniorItzehoe - Fraunhofer-Gesellschaft
Wissenschaftlicher Mitarbeiter - MEMS / Photonische Integrierte Schaltungen(m/w/x)
Vollzeit/TeilzeitBefristeter Vertragnur vor OrtKeine AngabeItzehoe - Fraunhofer-Gesellschaft
Technischer Mitarbeiter / Mikrotechnologe - Halbleiterfertigung(m/w/x)
VollzeitBefristeter Vertragnur vor OrtBerufserfahrenItzehoe - Fraunhofer-Gesellschaft
Schülerpraktikant(m/w/x)
VollzeitSchülerpraktikumnur vor OrtItzehoe